NDK晶振,NX2016SA晶振,2016晶振,無源晶振
參數(shù):頻率范圍20MHZ-80MHZ
負載電容: 8pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: - 40 ~ + 85 ℃
保存溫度: - 40~ + 85 ℃
精度 +/-15PPM
激勵電平: 10μW (Max.200μW)
尺寸：小體積2.0*1.6*0.45
應用：智能手機,筆記本電腦,安防,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途

　　現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的石英晶振產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合晶振廠家，正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標而努力。
      并且展開在產業(yè)設備、車載、傳感器領域，利用高的品質力和技術力用實力強的產品創(chuàng)造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益，來努力達成銷售額500億日元企業(yè)的復活的目標。

,無源晶振,是一款只有2.0*1.6*0.45mm沒有硬幣大小的表面貼片金屬封裝四腳貼片晶振,在無源無電壓的石英晶體諧振器中相對較小的一款晶振，采用編帶外包裝可方便自動貼片機的自動貼裝提高效率，因為體積小的優(yōu)勢，被廣泛應用在智能手機，無線電話，藍牙等電子產品中，即使是用在衛(wèi)星導航中也可以保持穩(wěn)定的起振。

   1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
     2.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用產品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
     3.激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
    4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
    5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用SMD晶振之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。

設計振蕩回路的注意事項

1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力(p)=i2?Re
其中i表示晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，
而且 Re=R1(1-Co/CL)2.
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
 

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