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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產(chǎn)晶振

    NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產(chǎn)晶振

  • 規(guī)格型號:12462201
  • 頻率:4.000MHZ-40.000MHZ
  • 尺寸:8.0*4.5*1.8
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于可穿戴醫(yī)療儀器,LoRa無線模塊,電子測量儀,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,LED燈模塊,汽車電子控制系統(tǒng)等產(chǎn)品。

NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產(chǎn)晶振
參數(shù):頻率范圍4.000MHZ-40.000MHZ
激勵電平: 50μW (Max. 500μW )
負(fù)載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 +/-30ppm
等效串聯(lián)電阻:Refer to*1 
尺寸:中小型8.0*4.5*1.8mm
應(yīng)用:智能高端汽車,柴油機(jī),AMD處理器,家庭醫(yī)療設(shè)備,工廠機(jī)械設(shè)備,儀器儀表等產(chǎn)品
。

       本集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場的擴(kuò)大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構(gòu)成的變化,使得TCXO(溫補(bǔ)晶振)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加。
       為對應(yīng)通信方式的多樣化和新的頻率使用,SAW聲表濾波器 (彈性表面波) 器件的需求也呈擴(kuò)大的趨勢。在SAW器件在移動體通信市場的正式量產(chǎn)展開的同時,我們會活用以往在車載市場和客戶間建立起來的信賴關(guān)系和經(jīng)驗(yàn),讓這個產(chǎn)品也進(jìn)入車載市場。


        NDK晶振,NX8045GB晶振,8045晶振,日產(chǎn)晶振,8.0*4.5*1.8mm體積的陶瓷貼片諧振器在如今日益追求縮小化的晶振行業(yè)里算得上是中等偏大型的進(jìn)口貼片晶振,雖然表面是陶瓷面封裝,但是NX8045GB晶振的抗摔性也不容小覷,可以試著將它放置離地面一米的高處任由貼片陶瓷貼片晶振隨意跌落,因此這款晶振特別適合用在車載電子產(chǎn)品中,可發(fā)揮其優(yōu)良的耐沖擊性能。

NDK晶振型號 NX8045GB晶振,陶瓷振動子
頻率范圍 4.000MHZ~40.000MHZ
頻率公差(25℃) ±30 ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±50 ppm的,可指定
操作溫度范圍 -40-+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動電平 1-500μW(μW500典型)
負(fù)載電容 8 pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40-+125℃



1:機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 
2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于SMD晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
3:自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞貼片陶瓷諧振器特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加無源晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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