Murata品牌XRCHA20M000F0A11R0晶振系列編碼完整報(bào)告
　　作為與村田制作所有合作的公司,我們每年都會看到村田集團(tuán)在環(huán)境與環(huán)保方面的措施與成就,每年都會面向全社會和所有新老客戶,提供企業(yè)社會報(bào)告,CSR報(bào)告書,環(huán)境可持續(xù)發(fā)展性報(bào)告和環(huán)境報(bào)告等.因此集團(tuán)旗下所量產(chǎn)的石英晶體,陶瓷諧振器,振蕩器等頻率元件產(chǎn)品,均符合綠色生產(chǎn),無鉛環(huán)保的電子元件制造標(biāo)準(zhǔn).村田晶振按應(yīng)用可分為消費(fèi)級,工業(yè)級和汽車級等幾種,每一顆晶振都對應(yīng)不同的分類.

　　標(biāo)題中的這款XRCHA20M000F0A11R0晶振是屬于汽車級的,也就是說主要應(yīng)用行車記錄儀,汽車導(dǎo)航,車載娛樂系統(tǒng),車載藍(lán)牙,車載通訊等汽車設(shè)備和系統(tǒng).通常達(dá)到汽車級的晶體或振蕩器,都可以算得上比較高端的晶振了,因?yàn)樗墓ぷ鳒囟戎辽贂_(dá)到-40℃~+100℃以上,可以承受相對高和低的氣溫,也能抵抗惡劣的工作環(huán)境.
　　XRCHA20M000F0A11R0只是村田石英晶體的原廠編碼,真正的系列型號是HCR2520晶振,是一款尺寸只有2.5*2.0*0.7mm的貼片晶振,常用于各種汽車設(shè)備及其他高要求產(chǎn)品身上.XRCHA20M000F0A11R0晶振編碼雖然用起來比較方便,但絕大部分人都不清楚其中的意義,因?yàn)椴还苁悄姆N封裝,開頭的字母看起來都差不多,而且難以辨別是什么規(guī)格參數(shù)的.

XRCHA16M000F0A01R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	汽車級
XRCHA16M000F0A11R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	汽車級
XRCHA16M000F0A12R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	汽車級
XRCHA16M000F0A13R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	汽車級
XRCHA16M000F0L01R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHA16M000F0Z01R0	HCR2520晶振	16.0000MHz	工業(yè)級
XRCHA20M000F0A01R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	汽車級
XRCHA20M000F0A11R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	汽車級
XRCHA20M000F0A12R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	汽車級
XRCHA20M000F0A13R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	汽車級
XRCHA20M000F0L01R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHA20M000F0Z01R0	HCR2520晶振	20.0000MHz	工業(yè)級
XRCHA24M000F0A01R0	HCR2520晶振	24.0000MHz	汽車級
XRCHA24M000F0A11R0	HCR2520晶振	24.0000MHz	汽車級
XRCHA24M000F0A12R0	HCR2520晶振	24.0000MHz	汽車級
XRCHA24M000F0A13R0	HCR2520晶振	24.0000MHz	汽車級
XRCHH16M000F1QB7P0	TAS-2520F晶振	16.0000MHz	工業(yè)級
XRCHH20M000F1QB1P0	TAS-2520F晶振	20.0000MHz	工業(yè)級
XRCHH26M000F1QD8P0	TAS-2520F晶振	26.0000MHz	工業(yè)級
XRCHH36M000F1QA3P0	TAS-2520F晶振	36.0000MHz	工業(yè)級
XRCHH40M000F1QB3P0	TAS-2520F晶振	40.0000MHz	工業(yè)級
XRCHH52M000F1QA2P0	TAS-2520F晶振	52.0000MHz	工業(yè)級
XRCHJ16M000F1QB1P0	TDS-2520F晶振	16.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ19M200F1QA9P0	TDS-2520F晶振	19.2000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ20M000F1QA7P0	TDS-2520F晶振	20.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ26M000F1QD1P0	TDS-2520F晶振	26.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ36M000F1QA0P0	TDS-2520F晶振	36.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ40M000F1QB0P0	TDS-2520F晶振	40.0000MHz	消費(fèi)級
XRCHJ52M000F1QA0P0	TDS-2520F晶振	52.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJH13M000F1QA0P0	TAS-3225J晶振	13.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH16M000F1QB5P0	TAS-3225J晶振	16.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH20M000F1QB3P0	TAS-3225J晶振	20.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH26M000F1QC1P0	TAS-3225J晶振	26.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH36M000F1QA1P0	TAS-3225J晶振	36.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH40M000F1QB2P0	TAS-3225J晶振	40.0000MHz	工業(yè)級
XRCJH52M000F1QA1P0	TAS-3225J晶振	52.0000MHz	工業(yè)級
XRCJK12M000F1QB4P0	TSS-3225J晶振	12.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK13M000F1QA3P0	TSS-3225J晶振	13.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK15M360F1QA0P0	TSS-3225J晶振	15.3600MHz	消費(fèi)級
XRCJK20M000F1QB3P0	TSS-3225J晶振	20.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK24M576F1QA0P0	TSS-3225J晶振	24.5760MHz	消費(fèi)級
XRCJK26M000F1QC3P0	TSS-3225J晶振	26.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK36M000F1QA0P0	TSS-3225J晶振	36.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK40M000F1QA2P0	TSS-3225J晶振	40.0000MHz	消費(fèi)級
XRCJK52M000F1QA0P0	TSS-3225J晶振	52.0000MHz	消費(fèi)級
XRCLH10M000F1QA4J1	TAS-5032F晶振	10.0000MHz	工業(yè)級
XRCLH10M000F1QA4P0	TAS-5032F晶振	10.0000MHz	工業(yè)級
XRCLH12M000F1QA0J1	TAS-5032F晶振	12.0000MHz	工業(yè)級
XRCLH12M000F1QA0P0	TAS-5032F晶振	12.0000MHz	工業(yè)級
XRCLH14M745F1QA0J1	TAS-5032F晶振	14.7456MHz	工業(yè)級
XRCLH14M745F1QA0P0	TAS-5032F晶振	14.7456MHz	工業(yè)級
XRCLH16M000F1QA2J1	TAS-5032F晶振	16.0000MHz	工業(yè)級

　　上面的表格是金洛鑫電子截取的部分村田石英晶體原廠編碼的數(shù)據(jù)資料,從中我們可以確定XRCHA20M000F0A11R0代表的料號是HCR2520晶振,開頭的5個(gè)字母后面的數(shù)字,大家也許能看得出來,是該晶體的頻率,后面的數(shù)字和英文字母則代表其他不同的負(fù)載電容,頻率公差,溫度特性和包裝規(guī)格等信息.介紹完村田石英晶振的原廠編碼及其意義后,那接下來,可以看下相關(guān)的晶體問題,和處理方法及措施.
　　如果實(shí)際振蕩頻率偏離標(biāo)稱頻率,將考慮以下原因.
　　貼片晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過了指定的最大值.
　　實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
　　振蕩不正常
　　晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過了指定的最大值.
　　晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)級別在驅(qū)動(dòng)級別規(guī)格之內(nèi)很重要.
　　過多的驅(qū)動(dòng)水平可能會導(dǎo)致更高的貼片晶振振蕩頻率或更大的R1.
　　請?jiān)谙旅鎱⒖既绾螠y量驅(qū)動(dòng)器級別.
如何測量驅(qū)動(dòng)水平:
　　如果要降低驅(qū)動(dòng)器級別,可以采取以下措施.
　　措施1：大改變阻尼電阻
　　通過大幅度改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度將衰減,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平將變低.通過這種變化,振蕩余量將下降.因此最好檢查SMD晶振振蕩余量是否超過5倍.另外,需要注意振蕩幅度不要過小.
　　措施2：減小外部負(fù)載電容
　　通過減小外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低.在這種情況下,實(shí)際的振蕩頻率由于負(fù)載電容小而變高.因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi).
　　實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
　　晶體單元的振蕩頻率按其規(guī)格中指定的負(fù)載電容排序.
　　因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中指定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與貼片晶振的標(biāo)稱頻率不同.
　　可以通過以下措施調(diào)整此頻率差.
　　措施1：調(diào)整外部負(fù)載電容
　　為了使外部負(fù)載電容變大,實(shí)際振蕩頻率變低.請注意,如果外部負(fù)載電容較大,則振蕩容限將較低.外部負(fù)載電容較大時(shí),振蕩幅度可能會很小.
　　措施2：更換指定不同負(fù)載電容的晶振單元
　　為了使用規(guī)定的大負(fù)載電容的Quartz Crystal單元,實(shí)際的振蕩頻率會變高.例:您需要30MHz的頻率,并應(yīng)用一個(gè)標(biāo)稱頻率為30MHz的晶體單元,負(fù)載電容為6pF.但是您可以確定,從30MHz開始實(shí)際振蕩頻率低30ppm.實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.因此,您將指定為30MHz的晶振單元更改為8pF作為負(fù)載電容.通過此更改,實(shí)際的振蕩頻率從30MHz開始低5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
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