隨著美國(guó)拉隆晶振入駐中國(guó)市場(chǎng)的時(shí)間越長(zhǎng)，熟悉和使用的人也越來(lái)越多，這家1983在邁阿密成立的Raltron Electronics Corporation，憑借親切完善的服務(wù)，和高品質(zhì)低成本的石英晶體產(chǎn)品，在國(guó)內(nèi)和世界各地都收獲不少忠實(shí)的用戶，高性能頻率控制解決方案，滿足并超越客戶在價(jià)格，使Raltron在行業(yè)里有著舉足輕重的地位，服務(wù)過(guò)的企業(yè)和工廠超過(guò)300000家，并被客戶肯定，認(rèn)為是優(yōu)秀的頻率控制元器件供應(yīng)商之一。
對(duì)于晶體振蕩器設(shè)計(jì)和工程成功，設(shè)計(jì)工程師必須首先了解石英晶體諧振器。晶體作為振蕩器電路中最高的Q分量，對(duì)晶體管的影響最大電路。因此，正確指定晶體對(duì)于精心設(shè)計(jì)的振蕩器至關(guān)重要。這個(gè)迷你入門(mén)將涵蓋一些石英晶體最容易被誤解的參數(shù)。
圖1顯示了晶體諧振器的電等效電路。

圖1：晶體符號(hào)及其單模，1端口，晶體諧振器等效電路在圖1中，C1，L1和R1構(gòu)成晶體諧振器的運(yùn)動(dòng)臂。C0是分流器電容主要是由石英晶體的電極和晶體的電極形成的持有人。并聯(lián)電容C0是等效電路中唯一的物理值。這個(gè)參數(shù)實(shí)際上可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的電容計(jì)測(cè)量。動(dòng)作手臂另一方面，組件（C1，L1和R1）是等同物，因此不是真實(shí)的。注意這個(gè)等價(jià)物僅用于基本反應(yīng)，而附加的動(dòng)作武器也可以添加了每個(gè)泛音和虛假。
圖1晶體等效電路的阻抗方程為，

哪里
j=虛構(gòu)運(yùn)算符=-1
w=弧度頻率= 2pf
公式（1.1）是復(fù)阻抗，但我們的興趣將在它的虛部或其中電抗。圖2描繪了這一點(diǎn)。

圖2：石英晶振的電抗與頻率的關(guān)系圖
圖2中有四個(gè)關(guān)鍵事實(shí)。
首先，fs是動(dòng)態(tài)電容C1抵消動(dòng)態(tài)電感的頻率L1。其次，fs被稱為晶體的“串聯(lián)共振”并表示為
DX1.2.jpg

第三，反諧振點(diǎn)或并聯(lián)諧振fa，是運(yùn)動(dòng)電感L1的所在與C1和C0的并聯(lián)組合共振。第四，fa表示
DX1.3.jpg

通過(guò)改變負(fù)載電容來(lái)拉動(dòng)頻率
許多應(yīng)用需要改變晶體的頻率。一個(gè)例子是VCXO（壓控晶體振蕩器），需要將工作頻率調(diào)到a期望的值或在期望的電壓范圍內(nèi)改變頻率。作為容性負(fù)載隨著晶體的系列變化，晶體頻率被拉。這種頻率的變化負(fù)載電容CL表示為
DX1.4.jpg

哪里
fL=負(fù)載電容的頻率
fs=串聯(lián)諧振頻率
C1=晶體的運(yùn)動(dòng)電容
Co=晶體的并聯(lián)電容
DX1.5.jpg

注意，等式（1.4）被寫(xiě)為從串聯(lián)諧振頻率到負(fù)載的增量共振頻率。換句話說(shuō)，分?jǐn)?shù)頻率從fs變?yōu)閒L。降低負(fù)載電容的值將增加晶振的頻率。最終，將達(dá)到fa的頻率，但應(yīng)避免晶體振蕩器。這導(dǎo)致
DX1.6.jpg

（1.6）的結(jié)果是到極點(diǎn)的分?jǐn)?shù)頻率距離，或fa到fs。這被稱為零到極間距，并設(shè)定晶體總可拉性的限制。
典型拉力曲線的（1.4）的圖形表示：

圖3：等式（1.4）的圖。典型的諧振器頻率拉動(dòng)曲線與負(fù)載電容其中運(yùn)動(dòng)電容C1=0.01pF，并聯(lián)電容C0=5pF。20pF與該晶體串聯(lián)，頻率比串聯(lián)諧振頻率高+200 PPM。關(guān)于CL的等式（1.4）的一階導(dǎo)數(shù)導(dǎo)致
DX1.7.jpg

晶體制造商稱晶體給定負(fù)載電容的公式（1.7），“Trim靈敏度”。圖4是“修剪靈敏度”的圖形表示。

圖4：等式（1.7）的圖。典型的晶體微調(diào)靈敏度與負(fù)載電容，其中運(yùn)動(dòng)電容C1=0.01pF和并聯(lián)電容C0=5pF。在CL為10pF時(shí)，TS=-22.22PPM/pF。在CL=20pF時(shí)，TS=-8PPM/pF。
Trim Sensitivity等式（1.7）提供了如何選擇負(fù)載的重要見(jiàn)解晶體的電容值。如果設(shè)計(jì)者的目標(biāo)是制造固定頻率石英晶體振蕩器，那么如在微處理器應(yīng)用中，他/她選擇一個(gè)大的負(fù)載電容值，如18-上22pF。如果設(shè)計(jì)者想要拉晶體，那么他/她選擇一個(gè)小的負(fù)載電容值像9pF-14pF。
水晶有很多反應(yīng)！
所有晶體都有許多共振響應(yīng)（見(jiàn)圖5）。第一個(gè)主要的反應(yīng)稱為“基本的”。在它的右邊，是下一個(gè)主要響應(yīng)，即第三個(gè)泛音，然后是五Overtone，等等。只有奇怪的泛音。泛音反應(yīng)不是諧波根本的。根據(jù)定義，諧波是較低頻率的精確倍數(shù)。對(duì)于例如，第3泛音通常位于基本的2.8到3.2倍之間。所以晶體有沒(méi)有諧波，但泛音。
檢查圖5，注意晶體在某些頻率點(diǎn)表現(xiàn)得像一個(gè)電阻，并且像其他頻率區(qū)域的電感器或電容器。連接到晶體的電路拓?fù)錄Q定了晶體的工作位置。其他換言之，電路迫使晶體進(jìn)入基波，并聯(lián)，泛音或串聯(lián)模式。見(jiàn)下面的定義。

“負(fù)載電容”：晶體的頻率將根據(jù)電容而變化與晶體串聯(lián)的電抗。因此，設(shè)計(jì)者必須指定電容值需要將晶體校準(zhǔn)到頻率。典型值介于9-32pF之間;18-20 pF是最常見(jiàn)的。負(fù)載電容有效地與晶體串聯(lián)，永遠(yuǎn)不會(huì)跨越它。
“平行晶體”：在一個(gè)電感區(qū)域校準(zhǔn)到所需頻率的晶體晶體的電抗曲線。由于它是一個(gè)區(qū)域，設(shè)計(jì)師必須準(zhǔn)確識(shí)別其中的位置他/她需要晶體操作的區(qū)域。該地區(qū)的確切點(diǎn)由負(fù)載電容值。
“系列晶體”：在其中一個(gè)電阻點(diǎn)上校準(zhǔn)到所需頻率的石英晶體諧振器的電抗曲線。電阻點(diǎn)可以是基波點(diǎn)或其中之一泛音反應(yīng)。需要指定無(wú)負(fù)載電容，因?yàn)樗且粋€(gè)操作點(diǎn)而不是一個(gè)地區(qū)。
“基本水晶”：一種設(shè)計(jì)并校準(zhǔn)到所需頻率的水晶最低主要共振響應(yīng)?；揪w可以校準(zhǔn)為“系列”或“平行”。
“泛音水晶”：在除主要響應(yīng)之外的主要響應(yīng)下校準(zhǔn)到所需頻率的晶體根本。泛音晶體可以校準(zhǔn)為“系列”或“平行”。“等效串聯(lián)電阻（E.S.R）”：串聯(lián)諧振時(shí)晶體的電阻為只是運(yùn)動(dòng)阻力R1。在并聯(lián)共振區(qū)域，其價(jià)值包括：

因此，E.S.R是并聯(lián)諧振區(qū)域中晶體的電阻或損耗。請(qǐng)注意，重要的是要了解每個(gè)晶體都能夠在基本或任何基礎(chǔ)上運(yùn)行泛音模式，串聯(lián)和并聯(lián)諧振。這只是匹配水晶的問(wèn)題制造商的校準(zhǔn)條件對(duì)應(yīng)用于晶體端子的條件周圍電路。
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