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晶振系列

首頁(yè)應(yīng)用案例汽車產(chǎn)品NDK晶振,貼片晶振,NX5032GA晶振,日本NDK晶體

    NDK晶振,貼片晶振,NX5032GA晶振,日本NDK晶體

  • 規(guī)格型號(hào):41362673
  • 頻率:8.000MHZ-49.999MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.3mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于臺(tái)式電腦主機(jī)面板,U盤,跳舞毯,數(shù)碼攝像機(jī),DVD機(jī),報(bào)警器,環(huán)境清潔用電器,醫(yī)療用設(shè)備等電子產(chǎn)品.

NDK晶振,NX5032GA晶振,5032晶振,日本NDK晶體
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-49.999MHZ
激勵(lì)電平: 50μW (Max. 500μW )
負(fù)載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 +/-30ppm
等效串聯(lián)電阻:Refer to*1 
尺寸:超小型化5.0*3.2*1.3
應(yīng)用:平板電腦,USB接口,數(shù)碼相機(jī),MP3,MP4,MP5,智能手機(jī),無(wú)線數(shù)據(jù)通信設(shè)備等產(chǎn)品
。


       本集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場(chǎng)的擴(kuò)大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來(lái)的搭載部件的構(gòu)成的變化,使得TCXO(溫補(bǔ)晶振)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加。
       由此,本集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場(chǎng)的產(chǎn)品的再?gòu)?qiáng)化上,把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長(zhǎng)戰(zhàn)略。并且展開(kāi)在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域,利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃。通過(guò)贏得客戶的高評(píng)價(jià)和高信賴來(lái)確保持續(xù)的成長(zhǎng)和安定的收益,來(lái)努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo)。


       NDK晶振,NX5032GA晶振,5032晶振,日本NDK晶體,是日本品牌NDK研發(fā)生產(chǎn)的表面貼片型晶體振蕩器,陶瓷面封裝的使NX5032GA晶振工作時(shí)能耐得住-40°C 的低溫和+85°C的高溫,焊接時(shí)可應(yīng)對(duì)+250°C的高溫回流溫度,頂點(diǎn)溫度最高可達(dá)到+260°C,達(dá)到歐盟AEC-Q200的標(biāo)準(zhǔn),采用防腐蝕材料,老化率一年可達(dá)到+/-3ppm,品質(zhì)保證擁有優(yōu)良的高信賴性。

NDK晶振型號(hào) NX5032GA晶振,石英水晶諧振器
頻率范圍 8.000MHZ~49.999MHZ
頻率公差(25℃) ±30 ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 ±50 ppm的,可指定
操作溫度范圍 -40~+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 1~500μW(μW500典型)
負(fù)載電容 8 pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -40~+125℃



(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些貼片晶振之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)晶體產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

(4)DIP產(chǎn)品
已變形的引腳不能插入板孔中。請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形。 
(5)SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形。已變形的引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起。尤其是晶振產(chǎn)品需要更加小心處理。


輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
   超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
  電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)

3.    測(cè)試電路

NX50321GA :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
              
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
               
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
                 
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

NX5032GA

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進(jìn)口晶振,晶振廠家,32.768K晶振,16mm微孔霧化片,2.4M陶瓷霧化片,KDS溫補(bǔ)晶振,精工SSP-T7-F晶振,TXC晶振,大真空DST310S晶振,愛(ài)普生晶振MC-146,SC-32S晶振,3225貼片晶振,西鐵城晶振,TO-39聲表面濾波器,進(jìn)口京瓷晶振,陶瓷晶振,FA-20H石英晶振,西鐵城晶振CM315,LVDS差分晶振,恒溫晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,VCXO壓控晶振,耐高溫晶振
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