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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振泰藝晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶體,XSLAAAAANF-20.000000

    泰藝晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶體,XSLAAAAANF-20.000000

  • 規(guī)格型號(hào):54765519
  • 頻率:8.000MHZ~54.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.2mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于"XSLAAAAANF-20.000000"平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

泰藝晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶體"XSLAAAAANF-20.000000"
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ~54.000MHZ
激勵(lì)電平: 10μW (Max. 300μW )
負(fù)載電容: 7PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm
捆包單位:1000pcs/reel
尺寸:輕薄小型5.0*3.2*1.2
應(yīng)用:?jiǎn)畏聪鄼C(jī),無(wú)線通訊,計(jì)算機(jī),接口卡,座機(jī),對(duì)講機(jī),萬(wàn)能遙控器,全球定位系統(tǒng),MP3,MP4等數(shù)碼產(chǎn)品。


        泰藝電子多年來(lái)致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來(lái)陸續(xù)取得石英晶振相關(guān)制造技術(shù)專利;未來(lái)將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),"XSLAAAAANF-20.000000"以成為全球石英頻控組件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn)。

       泰藝電子清楚知道自身對(duì)于同仁、環(huán)境、社會(huì)及合作伙伴們所肩負(fù)的責(zé)任與義務(wù),相信透過(guò)信息公開與揭露CSR報(bào)告書,對(duì)建立一個(gè)平衡與和諧的利害關(guān)系人良性互動(dòng)網(wǎng)絡(luò)有幫助,更能促進(jìn)晶振企業(yè)健康穩(wěn)定的成長(zhǎng)。

        泰藝晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶體,是市場(chǎng)上常用的一款5032mm晶體諧振器,這款晶振的特點(diǎn)在于除了是兩個(gè)點(diǎn)的腳位設(shè)計(jì),還是陶瓷表面外殼,"XSLAAAAANF-20.000000"具有良好的耐高溫性能,用料天然環(huán)保符合歐盟的ROHS規(guī)定,在這個(gè)要求產(chǎn)品無(wú)鉛化的時(shí)代,這無(wú)疑成為了XS晶振的一大優(yōu)勢(shì),讓各行業(yè)的生產(chǎn)廠家可能放心的使用。

泰藝晶振型號(hào) XS晶振,臺(tái)灣晶振
頻率范圍 8.000MHZ~54.000MHZ
頻率公差(25℃) ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm 可指定
頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 ±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm 可指定
操作溫度范圍  -40℃~+85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 100μW (Max. 300μW )
負(fù)載電容 7pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -55℃~+125℃



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
"XSLAAAAANF-20.000000"
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
"XSLAAAAANF-20.000000"
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
   超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
  電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他"XSLAAAAANF-20.000000"
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)進(jìn)口晶振放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)"XSLAAAAANF-20.000000"

3.    測(cè)試電路

XS :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

XS
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

XS
              
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

XS
               
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

XS
                 
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

XS
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

XS
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

XS
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

XS

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